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AUIRG4BC30SSTRL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

AUIRG4BC30SSTRL
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
5
INFINEON
con
24+
-
晶體管

AUIRG4BC30SSTRL
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
5
INFINEON
con
24+
-
晶體管

AUIRG4BC30SSTRL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
360
INTERNATI
1521+
-
全新原裝現貨

AUIRG4BC30SSTRL
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
200
INFINEON
con
25+
-
現貨常備產品原裝可到京北通宇商城查價格h...

AUIRG4BC30SSTRL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

1/1頁 40條/頁共15條
1

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AUIRG4BC30SSTRL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

AUIRG4BC30SSTRL PDF下載

功能描述
IGBT 晶體管 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

AUIRG4BC30SSTRL 技術參數

AUIRG4BC30S-S 功能描述:IGBT 600V 34A 100W Surface Mount D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:管件零件狀態:停產 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:34A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):68A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.6V @ 15V，18A 功率 - 最大值:100W 開關能量:260μJ（開），3.45mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:50nC 25°C 時 Td（開/關）值:22ns/540ns 測試條件:480V，18A，23 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:50 AUIRFZ48Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:61A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1720pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 AUIRFZ48N 功能描述:MOSFET N CH 55V 69A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:69A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 AUIRFZ46NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 53A TO-262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 28A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1696pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:TO-262 標準包裝:50 AUIRGF76524D0 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1 AUIRGP4062D1-E AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP50B60PD1E AUIRGP65A40D0 AUIRGP65G40D0 AUIRGP66524D0 AUIRGP76524D0 AUIRGPS4067D1