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AUIRLZ44Z.

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AUIRLZ44Z. PDF下載

制造商
International Rectifier
功能描述
m CH MOSFET AUTOMOTIVE 55V 51A TO-22

AUIRLZ44Z. 技術(shù)參數(shù)

AUIRLZ44Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13.5 毫歐 @ 31A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1620pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLZ24NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:480pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRLZ24NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:480pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRLU3114Z 功能描述:MOSFET NCH 40V 130A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101，HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:56nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3810pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251）標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRLU3110Z 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:42A（Tc）不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:48nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3980pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:140W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 38A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 基本零件編號(hào):* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRS20302S AUIRS20302STR AUIRS2092S AUIRS2092STR AUIRS2110S AUIRS2112S AUIRS2113S AUIRS2113STR AUIRS2117S AUIRS2117STR AUIRS2118S AUIRS2118STR AUIRS2123S AUIRS2123STR AUIRS2124S AUIRS2124STR AUIRS21271S AUIRS21271STR