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CPH6341-TL-ESANYO

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CPH6341-TL-ESANYO 技術(shù)參數(shù)

CPH6341-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6341-M-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:3,000 CPH6341-M-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6337-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-23-6 細型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6355-TL-W CPH6411-TL-E CPH6429-TL-E CPH6434-TL-E CPH6442-TL-E CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E CPH6538-TL-H CPH6539-TL-H CPH6615-TL-E