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EPC2014

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2014
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2014C
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
87500
EPC
帶卷（TR）
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共12條
1

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功能描述
TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
eGaN®
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

EPC2014 技術參數

EPC2012CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（4 焊條）標準包裝:1 EPC2012C 功能描述:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:140pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（4 焊條）標準包裝:1 EPC2012 功能描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 3A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:145pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2010CENGR 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（7 焊條）標準包裝:1 EPC2010C 功能描述:TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具剖面（7 焊條）標準包裝:1 EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR