久久99亚洲热视_国产精品麻豆一区二区_国产精品美女久久久久久不卡_欧美一区二区三区爱爱

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > E字母型號搜索 > E字母第1677頁 >

EPC2016

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC2016C
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

EPC2016
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2810
EPC
剪切帶（CT
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： EPC2016C EPC2018 EPC2019 EPC2019ENG EPC2020 EPC2020ENG EPC2020ENGR EPC2021 EPC2021ENG

EPC2016 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

EPC2016 PDF下載

制造商
Efficient Power Conversion
功能描述
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

EPC2016 技術(shù)參數(shù)

EPC2015CENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2015C 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:36A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2015 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（11 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2014C 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 10A， 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:300pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2014 功能描述:TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:325pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應(yīng)商器件封裝:模具剖面（5 焊條）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2021ENGR EPC2022 EPC2022ENGRT EPC2023 EPC2023ENG EPC2023ENGR EPC2024 EPC2024ENG EPC2024ENGR EPC2025 EPC2025ENGR EPC2029 EPC2029ENGR EPC2029ENGRT EPC2030 EPC2030ENGR EPC2030ENGRT EPC2031