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EPC27

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

EPC27I32
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
2669
ST
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

EPC2715
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/曹先生/高先生
電話：137602720171348786585218520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
73483
EPC
最新批次
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共5條
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制造商
TDK
制造商全稱
TDK Electronics
功能描述
Ferrite Cores For Power Supply and Signal Transformer EPC Cores

EPC27 技術參數

EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2110ENGRT 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2110 功能描述:MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:120V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 4A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 700μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:80pF @ 60V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）標準包裝:1 EPC2108ENGRT 功能描述:TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:3 N 溝道（半橋 + 同步自舉） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:60V，100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.7A，500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 2.5A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.22nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:22pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR