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IS61NLP12832-100B

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IS61NLP12832-100B 技術參數

IS61NLP102436B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 36MB 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:36M（1M x 36）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20）標準包裝:72 IS61NLP102436A-166TQLI-TR 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M (2Mx18) 166MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP102436A-166TQLI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M (2Mx18) 166MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray IS61NLP102418B-200TQLI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 100TQFP 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:100-LQFP 供應商器件封裝:100-LQFP（14x20）標準包裝:72 IS61NLP102418B-200B3LI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯電壓 - 電源:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:165-TBGA 供應商器件封裝:165-TFBGA（13x15）標準包裝:144 IS61NLP12836EC-200B3LI-TR IS61NLP12836EC-200TQLI IS61NLP12836EC-200TQLI-TR IS61NLP204818A-166TQ IS61NLP204818A-166TQLI IS61NLP204818A-166TQLI-TR IS61NLP204818A-166TQ-TR IS61NLP204818B-200TQLI IS61NLP204818B-200TQLI-TR IS61NLP204818B-250B3L IS61NLP204818B-250B3L-TR IS61NLP204836B-166TQLI IS61NLP204836B-166TQLI-TR IS61NLP25618A-200B3I IS61NLP25618A-200B3I-TR IS61NLP25618A-200B3LI IS61NLP25618A-200B3LI-TR IS61NLP25618A-200TQI

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