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LTC1155MJ8/883B

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LTC1155MJ8/883B 技術參數(shù)

LTC1155IS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC1155IS8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC1155IN8#PBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8-DIP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC1155CS8#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DVR HI-SIDE DUAL 8SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) LTC1155CS8#TR 功能描述:IC DRIVER MOSF HISIDE DUAL 8SOIC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端，獨立輸入類型:非反相延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):2 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件產(chǎn)品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) LTC1159CG-3.3#TRPBF LTC1159CG-5#PBF LTC1159CG-5#TRPBF LTC1159CS#PBF LTC1159CS#TRPBF LTC1159CS-3.3#PBF LTC1159CS-3.3#TRPBF LTC1159CS-5#PBF LTC1159CS-5#TRPBF LTC1159IS#PBF LTC1159IS#TRPBF LTC1159IS-3.3#PBF LTC1159IS-3.3#TRPBF LTC1159IS-5#PBF LTC1159IS-5#TRPBF LTC1163CN8#PBF LTC1163CS8#PBF LTC1163CS8#TRPBF

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