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NIS04D3N3TR

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說明
操作

NIS04D3N3TRF
深圳市鈞凌科技有限公司
深圳市鈞凌科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：18129868172
地址：華強北街道上步工業區304棟西座509
12000
NICC
SMD
25+
-
原裝現貨

NIS04D3N3TR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
876500
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

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NIS04D3N3TR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NIS04D3N3TR 技術參數

NIMD6001ANR2G 功能描述:MOSFET 60V 3.3A 130 MOHM DUAL RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T3G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T1G 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF62514T1 功能描述:MOSFET 42V 6A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIF5003NT3G 功能描述:MOSFET 42V 14A N-Channel RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NIS5102QP2HT1G NIS5112D1R2G NIS5112D1R2G1 NIS5112D2R2G NIS5132-35GEVB NIS5132MN1-FN-7 NIS5132MN1TXG NIS5132MN2-FN-7 NIS5132MN2TXG NIS5132MN3TXG NIS5135MN1-FN-7 NIS5135MN1TXG NIS5135MN2-FN-7 NIS5135MN2TXG NIS5232-35GEVB NIS5232MN1TXG NIS5431MT1GEVB NIS5431MT1TXG