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ULN2804A 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:8 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 350mA，2V 功率 - 最大值:2.25W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:18-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:18-DIP 標準包裝:20 ULN2803ANE4 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:8 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:18-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:18-PDIP 標準包裝:20 ULN2803AN 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:8 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:18-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:18-PDIP 標準包裝:20 ULN2803ADWRG4 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:8 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商器件封裝:18-SOIC 標準包裝:1 ULN2803ADWR 功能描述:TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:8 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商器件封裝:18-SOIC 標準包裝:1 ULQ2003ADR ULQ2003ADR2G ULQ2003ADRG4 ULQ2003AN ULQ2003AQDRQ1 ULQ2003ATDG4Q1 ULQ2003ATDQ1 ULQ2003ATDRG4Q1 ULQ2003ATDRQ1 ULQ2003ATPWRQ1 ULQ2003D1 ULQ2003D1013TR ULQ2003D1013TRY ULQ2004A ULQ2004AD ULQ2004ADG4 ULQ2004ADR ULQ2004ADRG4