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ZXMN10A11GTC

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

ZXMN10A11GTC
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
50000
Z
SOT-223
15+
-
全新原裝現貨

ZXMN10A11GTC
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Diodes
SOT223
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

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功能描述
MOSFET 100V N-Chnl UMOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ZXMN10A11GTC 技術參數

ZXMHN6A07T8TA 功能描述:MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.4A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:166pF @ 40V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 標準包裝:1 ZXMHC10A07T8TA 功能描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8 制造商:diodes incorporated 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A，800mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:700 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:138pF @ 60V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-223-8 供應商器件封裝:SM8 基本零件編號:ZXMHC10A07T8 標準包裝:1 ZXMD63P02XTA 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.25nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.04W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）供應商器件封裝:8-MSOP 標準包裝:1,000 ZXMC4A16DN8TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A，3.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250mA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:770pF @ 40V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 ZXMC3AM832TA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.9A，2.1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:190pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-MLP（3x3）標準包裝:1 ZXMN2088DE6TA ZXMN20B28KTC ZXMN2A01E6TA ZXMN2A01E6TC ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTC ZXMN2A02N8TA ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TC ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TC ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TC ZXMN2A05N8TA ZXMN2A14FTA ZXMN2AM832TA ZXMN2AMCTA ZXMN2B01FTA