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2SK3132(Q)

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功能描述
MOSFET N-ch 500V 50A 0.110 ohm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2SK3132(Q) 技術參數

2SK3128(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P（N）標準包裝:50 2SK3127(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:45A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:3,000 2SK3079ATE12LQ 功能描述:MOSF RF N CH 10V PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:13.5dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:3A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:33.5dBmW 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-271AA 供應商器件封裝:PW-X 標準包裝:1 2SK3078A(TE12L,F) 功能描述:FET RF N-CH 10V 470 MHZ PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:8dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:500mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:28dBm 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1 2SK3075(TE12L,Q) 功能描述:MOSF RF N CH 30V 5A PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:N 通道頻率:520MHz 增益:11.7dB 電壓 - 測試:9.6V 額定電流:5A 噪聲系數:- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:7.5W 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-271AA 供應商器件封裝:PW-X 標準包裝:1 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ)