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2SK3320-BL(TE85L,F

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK3320-BL(TE85L,F
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
聯系人：陳小姐
電話：13428937514
地址：門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
5430
Toshiba Semiconductor and
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

2SK3320-BL(TE85L,F
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
12420
TOSHIBA
2025+
-

2SK3320-BL(TE85L,F
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

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您是不是要找： 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL

2SK3320-BL(TE85L,F PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK3320-BL(TE85L,F PDF下載

制造商
Toshiba America Electronic Components
功能描述
JFET DUAL N-CH USV

2SK3320-BL(TE85L,F 技術參數

2SK3318 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TOP-3F 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3500pF @ 20V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TOP-3F 供應商器件封裝:TOP-3F-A1 標準包裝:40 2SK3313(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK3309(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:1,000 2SK3309(Q) 功能描述:MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:450V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 10V 功率 - 最大值:65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標片供應商器件封裝:TO-220FL 標準包裝:50 2SK327700L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:170pF @ 20V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:U-G1 供應商器件封裝:U-G1 標準包裝:1 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL 2SK3430-AZ 2SK3430-Z-E1-AZ 2SK3431-AZ 2SK3431-Z-E1-AZ 2SK3462(TE16L1,NQ) 2SK3466(TE24L,Q) 2SK3475TE12LF 2SK3476(TE12L,Q) 2SK3480-AZ 2SK3481-AZ 2SK3482-AZ 2SK3483-AZ 2SK3484-AZ