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2SK3670(T6CANO,A,F

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功能描述
MOSFET N-CH
制造商
toshiba semiconductor and storage
系列
*
包裝
散裝
零件狀態
停產
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-92MOD
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3 長體
標準包裝
1

2SK3670(T6CANO,A,F 技術參數

2SK3670(F,M) 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝零件狀態:停產安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體標準包裝:1 2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3666-2-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:* 零件狀態:新產品 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3662(F) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.5 毫歐 @ 18A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5120pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E 2SK3756(TE12L,F) 2SK3793-AZ