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2SK3800

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK3800
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

2SK3800VL-RP
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
RENESAS
TO263
10+
-
全新原裝現貨

2SK3800
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SANKEN
TO220S
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK3800
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
300000
YXYBDT臺灣
D2PAKTO-263
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現貨

2SK3800
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
5000
sanken(三肯)
TO220S
0926+
-
專業分銷sanken(三肯)，15810...

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2SK3800 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 40V TO-220S
制造商
sanken
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
新產品
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
70A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
6 毫歐 @ 35A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
5100pF @ 10V
功率 - 最大值
80W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝
TO-220S
標準包裝
1,000

2SK3800 技術參數

2SK3796-4-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:3,000 2SK3796-3-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:1.2mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:1 2SK3796-2-TL-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:600μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SMCP 功率 - 最大值:100mW 標準包裝:3,000 2SK3793-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 隔離片供應商器件封裝:TO-220 隔離的標片標準包裝:200 2SK3756(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:N 通道頻率:470MHz 增益:12dB 電壓 - 測試:4.5V 額定電流:1A 噪聲系數:- 電流 - 測試:200mA 功率 - 輸出:32dBm 電壓 - 額定:7.5V 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SC-62 標準包裝:1 2SK3820-DL-E 2SK3821-DL-E 2SK3821-E 2SK3823 2SK3824 2SK3826 2SK3827 2SK3844(Q) 2SK3868(Q,M) 2SK3892 2SK3906(Q) 2SK3943-ZP-E1-AY 2SK4016(Q) 2SK4017(Q) 2SK4021(Q) 2SK4037(TE12L,Q) 2SK4043LS 2SK4065-DL-1E