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參數資料
| 型號： | 2SK2329L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SK2329L |
2SK2329(L), 2SK2329(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
1
I
DR
Pch*
2
30
V
Gate to source voltage
±
10
V
Drain current
10
A
Drain peak current
40
A
Body to drain diode reverse drain current
10
A
Channel dissipation
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SK2329S | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:Silicon N-Channel MOSFET |
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| 2SK2330(S) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263VAR |
| 2SK2330L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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