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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2734 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 62K |
| 代理商： | 2SK2734 |
2SK2734
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
30
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
5
A
Drain peak current
Note1
20
A
Body to drain diode reverse drain current I
DR
Channel dissipation
5
A
Pch
0.9
W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
30
—
—
V
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
—
V
I
G
= ±100
μ
A, V
DS
= 0
Zero gate voltege drain current
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
R
DS(on)
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
—
—
10
μ
A
μ
A
V
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
GS
= ±16V, V
DS
= 0
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V
I
D
= 2.5A, V
GS
= 10V
I
D
= 2.5A, V
GS
= 4V
I
D
= 2.5A, V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
Gate to source leak current
—
—
±10
Gate to source cutoff voltage
1.0
—
2.0
Static drain to source on state
—
0.04
0.055
S
Note2
resistance
—
0.055
0.08
Note2
Forward transfer admittance
4
7
—
Note2
Input capacitance
—
550
—
pF
Output capacitance
Coss
—
380
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
155
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
14
—
ns
V
GS
= 10V, I
D
= 2.5A
R
L
= 4
Rise time
—
80
—
ns
Turn-off delay time
—
80
—
ns
Fall time
—
65
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
1.0
—
V
I
D
= 5A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note:
2. Pulse test
t
rr
—
40
—
ns
I
= 5A, V
= 0
diF/ dt = 50A/μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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