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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2747 |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 500mA的一（d）|對(duì)236AB |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 490K |
| 代理商： | 2SK2747 |
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
2SK2798
Transfer Characteristics
V
DS
= 15V
pulse test
TYP
Tc =
55
°
C
25
°
C
100
°
C
150
°
C
Gate-Source Voltage V
GS
[V]
D
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2748 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-89 |
| 2SK2754-01 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2760-01R | STD MOSFET |
| 2SK2762-01 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2768-01 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2749 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2749(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 7A 2@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK2749(F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 7A 3PIN 2-16C1C - Rail/Tube 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PN |
| 2SK2750 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 600V 3.5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SK2750(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
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