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參數資料
| 型號： | 2SK2796L |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SK2796L |
2SK2796(L), 2SK2796(S)
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
I
DR
I
AP
E
AR
Pch
Note2
60
V
Gate to source voltage
±
20
V
Drain current
5
A
Drain peak current
Note1
20
A
Body-drain diode reverse drain current
5
A
Avalanche current
Note3
5
A
Avalanche energy
Note3
2.14
mJ
Channel dissipation
20
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
3. Value at Tch = 25
°
C, Rg
≥
50
Tstg
–55 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2796S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2797 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK2735(L) | |
| 2SJ2735(S) | |
| 2SK2796(L) | |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2796-L(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 制造商:Renesas Electronics 功能描述:60V 5A DPAK-3 Bulk |
| 2SK2796L-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:N-channel MOSFET, 60V,5A,0.12ohm,DPAK-L 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin(3+Tab) DPAK(L)-(1) |
| 2SK2796S(TL-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2796S-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Tray 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK(S) |
| 2SK2796STL-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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