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參數資料
| 型號： | 2SK2826-Z |
| 英文描述： | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 70A條（?。﹟對263AB |
| 文件頁數： | 7/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 581K |
| 代理商： | 2SK2826-Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK283 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SOT-23 |
| 2SK2833-01R | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK283R3 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1.2MA I(DSS) | SOT-23 |
| 2SK283R4 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK283R5 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2826-Z(AZ) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2827-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2835TP | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel |
| 2SK2837 | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2837(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 20A 3PIN 2-16C1C - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 500V 20A 0.27@10V TO3P(N) Bulk |
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