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參數資料
| 型號： | 2SK2880 |
| 廠商： | ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION |
| 英文描述： | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION N CHANNEL JUNCTION TYPE MICRO(FRAME TYPE) |
| 中文描述： | 低頻放大N通道應用結型微（框式） |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | 2SK2880 |
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2934 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2935 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2936 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2937 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2940L | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK2882 | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 150V 18A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube |
| 2SK2882(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS |
| 2SK2883(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL |
| 2SK2883(TE24L,Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 800V 3A Rdson=3.6Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK2883-SM(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
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