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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3116-ZJ |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | 2SK3116-ZJ |
Data Sheet D13339EJ2V0DS
4
2SK3116
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
150
R
D
-
2.0
0
50
0
100
T
ch
- Channel Temperature -
C
3.0
1.0
V
GS
= 10 V
Pulsed
4.0
4.0 A
I
D
= 7.5 A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
1.5
1.0
0.5
0
100
10
1.0
0.1
Pulsed
0 V
V
GS
= 10 V
1000
100
10
1.0
10000
1000
100
10
1
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
C
i
,
o
,
r
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
0.1
1
10
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
100
10
1
0.1
V
DD
=
150
V
V
GS
= 10
V
R
G
=
10
t
d(off)
t
d(on)
t
f
t
r
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
1.0
10
100
t
r
0.1
I
D
- Drain Current - A
10000
1000
100
10
di/dt = 50 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
12
8
20
32
600
400
200
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
16
14
12
10
8
6
4
2
0
I
D
= 7.5 A
V
GS
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
V
DS
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PDF描述 |
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