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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3306 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | 2SK3306 |
Data Sheet D14004EJ2V0DS00
3
2SK3306
TYPICAL CHARACTERISTICS(T
A
= 25 °C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
40
60
100
120
140
160
20
40
60
80
100
T
c
- Case Temperature - C
d
0
20
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
20
40
60
80
100
120
140
160
T
c
- Case Temperature - C
P
T
0
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
4
8
12
16
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
8
6
2
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
100
10
0.1
10
100
1000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
1
1
Powe DsspaionLmted
R
DS(on
Lmted
(a V
GS
=10V
I
D (DC)
I
D (pulse)
100
μ
s
1ms
T
= 25 C
Single Pulse
PW=10
μ
s
Pulsed
10 V
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
0
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
Pulsed
1000
100
0.001
0.01
I
D
50
40
30
20
10
V
GS
= 20 V
0.1
1
10
5
10
15
80
100ms
4
8.0 V
V
GS
= 6.0 V
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3307 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3324 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3325 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3325-S | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3325-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3306-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 500V 5A 1500m@10V IsolatedTO220 Bulk |
| 2SK3307 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3307-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,70A,7,5m ohm,TO-3P 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
| 2SK3309 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications |
| 2SK3309(Q) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 450V 10A Rdson=0.48Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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