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參數資料
| 型號： | 2SK3355-S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SK3355-S |
Data Sheet D14132EJ2V0DS00
7
2SK3355
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB(MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
2) TO-262(MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
3) TO-263 (MP-25ZJ)
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
4) TO-220SMD(MP-25Z)
Note
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
3
1
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.0±0.3
Note
This Package is produced only in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3355-Z | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3355-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3355-Z | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3355-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 60V 83A 5.8m@10V TO220SMD 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 60V 83A 5.8m@10V TO220SMD Bulk |
| 2SK3355-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3356 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3357 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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