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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3355 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SK3355 |
Data Sheet D14132EJ2V0DS00
4
2SK3355
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
Pulsed
1
2
3
4
5
6
V
DS
= 10 V
10
1
0.1
100
1000
T
A
=
50
C
25
C
75
C
150
C
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
2.0
3.0
4.0
200
500
400
300
1.0
Pulsed
V
GS
=10 V
100
4.0 V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
0.01
0.1
1
10
100
10
100
0.1
0.01
1
Pulsed
T
= 150
C
75
C
25
C
50
C
V
DS
= 10 V
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
0
0
5
10
5
15
20
Pulsed
10
I
D
= 42 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
5
10
1
10
15
100
1000
Pulsed
0
V
GS
= 4.0 V
10 V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
3.0
T
ch
- Channel Temperature -
C
V
G
0.5
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
1.0
1.5
2.0
2.5
50
0
50
100
150
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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