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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3357 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類(lèi)： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2SK3357 |
Data Sheet D14134EJ2V0DS00
5
2SK3357
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
12
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
0
50
2
4
6
0
50
100
150
I
D
= 38 A
8
10
10 V
V
GS
= 4.0 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
S
0
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
0.1
1
10
100
1000
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
100
0.1
1000
10000
100000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
C
oss
C
rss
C
iss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
100
10
1
0.1
1000
10000
10
100
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
1000
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
40
60
20
80
100
120
140 160
20
40
60
80
100
2
4
V
DS
6
10
8
V
GS
V
DD
= 48 V
30 V
12 V
I
D
= 75 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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