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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3537-01MR |
| 英文描述： | MOSFETs |
| 中文描述： | MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 2SK3537-01MR |
2
0
5
10
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
10V
20V
8V
7.5V
7.0V
VGS=6.5V
0.1
1
10
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
Characteristics
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
2
4
6
8
10
12
VDS [V]
14
16
18
20
22
24
26
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
20V
10V
8V
7.5V
7.0V
I
Typical Output Characteristics
VGS=6.5V
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
starting Tch [
°
C]
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V,I(AV)<=10A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3549-01 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK355 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3 |
| 2SK3550-01R | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3555-01MR | STD MOSFET |
| 2SK356 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3539G0L | 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK3541GT2L | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 2SK3541T2L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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