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參數資料
| 型號： | 2SK715 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | AM Tuner RF Amp Applications |
| 中文描述： | 上午調諧器射頻放大器應用 |
| 文件頁數： | 3/3頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SK715 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK736 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK737 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186 |
| 2SK738 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK738Z | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
| 2SK739 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK715_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:AM Tuner, RF Amplifier Applications |
| 2SK715T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK715U | 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> JFET（結點場效應 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關）@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商設備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
| 2SK715U-AC | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
| 2SK715V | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |
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