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CSD86350Q5DEVM-604

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CSD86350Q5DEVM-604
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

CSD86350Q5DEVM-604
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Texas Instruments
標準封裝
16+
-
百分百原裝假一罰十

CSD86350Q5DEVM-604
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
品牌IC供應商電話010-621049...

CSD86350Q5DEVM-604
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
20
TEXAS INS
1521+
-
全新原裝現貨

CSD86350Q5DEVM-604
北京杰創宏達電子有限公司
北京杰創宏達電子有限公司
聯系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區安寧莊26號悅MOMA701室
資質：營業執照
2600
原廠原裝
原廠原裝
25+
-
授權代理商

CSD86350Q5DEVM-604
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
2520
TIS
原廠標準封裝
n/a
-
原裝現貨特價，停產偏冷優勢供應！數量需確...

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1

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功能描述
電源管理IC開發工具 Hi Density,Hi Crrnt Pwr Supply Sol
RoHS
否
制造商
Maxim Integrated
產品
Evaluation Kits
類型
Battery Management
工具用于評估
MAX17710GB
輸入電壓
輸出電壓
1.8 V

CSD86350Q5DEVM-604 技術參數

CSD86350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 12.5V 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD86330EVM-717 功能描述:CSD86330, TPS53219 NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態:有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:5A 電壓 - 輸入:9 V ~ 13.2 V 穩壓器拓撲:降壓頻率 - 開關:500kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86330，TPS53219 標準包裝:1 CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 2A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98）標準包裝:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.4 毫歐 @ 10A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT