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CSD87313DMST

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批號
價格
說明
操作

CSD87313DMST
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
300
TI/德州儀器
QFN
23+
-
只做原裝現貨/實單可談

1/1頁 40條/頁共40條
1

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功能描述
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
制造商
texas instruments
系列
NexFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
2 N 溝道（雙）共漏
FET 功能
標準
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
28nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4290pF @ 15V
功率 - 最大值
2.7W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerWDFN
供應商器件封裝
8-WSON（3.3x3.3）
標準包裝
1

CSD87313DMST 技術參數

CSD87312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 7A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3）標準包裝:1 CSD86360Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2060pF @ 12.5 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD86350Q5DEVM-604 功能描述:CSD86350Q NexFET? DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態:有效主要用途:DC/DC，步降輸出和類型:1，非隔離功率 - 輸出:- 電壓 - 輸出:1.2V 電流 - 輸出:25A 電壓 - 輸入:8 V ~ 13 V 穩壓器拓撲:降壓頻率 - 開關:290kHz 板類型:完全填充所含物品:板使用的 IC/零件:CSD86350Q 標準包裝:1 CSD86350Q5D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 20A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 12.5V 功率 - 最大值:13W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD86330Q3D 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.6 毫歐 @ 14A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 12.5V 功率 - 最大值:6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerLDFN 供應商器件封裝:8-LSON（5x6）標準包裝:1 CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603 CSD87384MT CSD87501L CSD87501LT CSD87502Q2 CSD87502Q2T CSD87503Q3E CSD87503Q3ET