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參數資料
| 型號： | FM230-M |
| 廠商： | 美麗微半導體有限公司 |
| 英文描述： | Silicon epitaxial planer type |
| 中文描述： | 硅外延龍門 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | FM230-M |
FM220-M THRU FM2100-M
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of ML-S-19500 /
228
Low leakage current.
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDECSOD-123 / MINI SMA
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting Position : Any
Weight : 0.04 gram
(V)
(V)
(V)
(V)
(
o
C)
FM220-M
22
20
14
20
FM230-M
23
30
21
30
FM240-M
24
40
28
40
FM250-M
25
50
35
50
FM260-M
26
60
42
60
FM280-M
28
80
56
80
FM2100-M
20
100
70
100
SYMBOLS
MARKING
CODE
Operating
temperature
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
0.70
-55 to +125
-55 to +150
0.85
0.50
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward rectified current
See Fig.1
I
O
2.0
A
Forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
I
FSM
50
A
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
o
C
0.5
mA
V
R
= V
RRM
T
A
= 125
o
C
10
mA
Thermal resistance
Junction to ambient
R
q
JA
85
o
C / w
Diode junction capacitance
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C
J
160
pF
Storage temperature
T
STG
-55
+150
o
C
Reverse current
I
R
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage
Chip Schottky Barrier Diodes
Silicon epitaxial planer type
0.161(4.1)
0.146(3.7)
0.012(0.3) Typ.
0.071(1.8)
0.055(1.4)
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.063(1.6)
0.055(1.4)
0.035(0.9) Typ.
0.035(0.9) Typ.
Dimensions in inches and (millimeters)
SOD-123
Formosa MS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FM2320-9 | 制造商:Power-One 功能描述:DC/DC PS DUAL-OUT 12V 2A 50W 11PIN - Bulk |
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