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參數資料
| 型號： | FM260-C |
| 廠商： | 美麗微半導體有限公司 |
| 英文描述： | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| 中文描述： | 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | FM260-C |
0.1
1.0
.01
10
50
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
700
600
500
400
300
200
100
0
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5
3.0
.1
1.0
10
100
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
0 20 40 60 80 100 120 140
.01
Tj=75 C
FM220~FM240
FM250~FM2100
FM250~FM260
FM280~FM2100
FM220~FM240
Tj=25 C
Tj=25 C
AMBIENT TEMPERATURE,( C)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
20
10
30
50
40
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FM220-C | CONN HEADER .05 30POS DUAL T/H |
| FM2100-C | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM240-C | CONN HEADR .05 50POS DL T/H R/A |
| FM250-C | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM280-C | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FM260L | 制造商:RECTRON 制造商全稱:Rectron Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE RANGE 20 to 200 Volts CURRENT 2.0 Ampere |
| FM260-L | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM260-LN | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM260-M | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Silicon epitaxial planer type |
| FM260-MH | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
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