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BF1202WR,135

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功能描述
射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Dual Dual Gate
晶體管極性
N-Channel
電阻汲極/源極 RDS（導通）
汲極/源極擊穿電壓
6 V
閘/源擊穿電壓
6 V
漏極連續電流
30 mA
功率耗散
180 mW
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SC-88
封裝
Reel

BF1202WR,135 技術參數

BF1202WR,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30.5dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:0.9dB 電流 - 測試:12mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BF1202R,215 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30.5dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:0.9dB 電流 - 測試:12mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143R 標準包裝:1 BF1202,215 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:30.5dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:0.9dB 電流 - 測試:12mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BF1201WR,135 功能描述:RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB CMPAK-4 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:29dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:10,000 BF1201WR,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:400MHz 增益:29dB 電壓 - 測試:5V 額定電流:30mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:15mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:10V 封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:CMPAK-4 標準包裝:1 BF1208D,115 BF1210,115 BF1211,215 BF1211R,215 BF1211WR,115 BF1212,215 BF1212R,215 BF1212WR,115 BF1214,115 BF1215,115 BF1216,115 BF1217WR,115 BF1218,115 BF1225 BF-125.000MBE-T BF-125.000MCE-T BF140A01RE0000 BF140D03BK1200