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參數資料
| 型號： | IRF523R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 80V的五（巴西）直| 8A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | IRF523R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF540R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-220AB |
| IRF541R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 28A I(D) | TO-220AB |
| IRF542R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
| IRF543R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB |
| IRF611R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF530 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF-530 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF530/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| IRF530_R4941 | 功能描述:MOSFET USE 512-IRF530A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF5305 | 功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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