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參數資料
| 型號： | IRF643R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 150伏五（巴西）直| 16A條（丁）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | IRF643R |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD110R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR |
| IRFF110R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
| IRFF111R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF |
| IRFF112R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
| IRFF113R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-205AF |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF644 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF644A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| IRF644B | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| IRF644B_FP001 | 功能描述:MOSFET 250V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF644FP | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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