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參數資料
| 型號： | IRF9530SMD |
| 英文描述： | P-Channel Power MOSFET For HI-REL Application(Vdss:-100V,Id(cont):-8A,Rds(on):0.35Ω)(P溝道功率MOS場效應管,HI-REL應用(Vdss:-100V,Id(cont):-8A,Rds(on):0.35Ω)) |
| 中文描述： | P溝道功率MOSFET為高可靠性應用（減振鋼板基本：- 100V的，身份證（續）：- 8A型，的Rds（on）：0.35Ω）性（P溝道功率馬鞍山場效應管，高可靠性應用（減振鋼板基本： - 100V的，身份證（續）：- 8A型，的Rds（on）：0.35Ω）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 22K |
| 代理商： | IRF9530SMD |
IRF9530SMD
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.ukPrelim. 07/00
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current @ T
case
= 25°C
Continuous Drain Current @ T
case
= 100°C
Pulsed Drain Current
Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Linear Derating Factor
T
J
, T
stg
R
q
JC
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Case
±20V
8A
5A
40A
45W
0.36W/°C
–55 to 150°C
2.8°C/W max.
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
SMD 1
P–CHANNEL
POWER MOSFET
FOR HI–REL
APPLICATIONS
FEATURES
HERMETICALLY SEALED
SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
LIGHTWEIGHT
SCREENING OPTIONS AVAILABLE
ALL LEADS ISOLATED FROM CASE
Pad 1 – Gate
Pad 2 – Drain
Pad 3 – Source
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
-100V
-8A
0.35
W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9530S | P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF9530SMD | P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
| IRF9632 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
| IRF9641 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-220AB |
| IRF9642 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF9530SPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530STRL | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530STRLPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530STRR | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530STRRPBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 12 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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