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參數(shù)資料
| 型號： | MC9S12DB128B |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁數(shù)： | 99/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DB128B |
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
99
A.3.2 NVM Reliability
The reliability of the NVM blocks is guaranteed by stress test during qualification, constant process
monitors and burn-in to screen early life failures.
The failure rates for data retention and program/erase cycling are specified at the operating conditions
noted.
The program/erase cycle count on the sector is incremented every time a sector or mass erase event is
executed.
NOTE:
All values shown in
Table A-12
are target values and subject to further extensive
characterization
Table A-12 NVM Reliability Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
NOTE:
Flash cycling performance is 10 cycles at -40C to +125C. Data retention is
specified for 15 years.
NOTE:
EEPROM cycling performance is 10K cycles at -40C to 125C. Data retention is
specified for 5 years on words after cycling 10K times. However if only 10 cycles
are executed on a word the data retention is specified for 15 years.
4. Burst Programming operations are not applicable to EEPROM
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
.
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
7. Maximum time to complete check on an erased block
Num C
Rating
Cycles
Data Retention
Lifetime
Unit
1
C Flash/EEPROM (-40C to +125C)
10
15
Years
2
C EEPROM (-40C to +125C)
10,000
5
Years
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DB128BCFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BCPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BMFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BMPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DB128BVFU | MC9S12DT128B |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MC9S12DB128BCPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 其它有關(guān)文件:STM32F101T8 View All Specifications 特色產(chǎn)品:STM32 32-bit Cortex MCUs 標準包裝:490 系列:STM32 F1 核心處理器:ARM? Cortex?-M3 芯體尺寸:32-位 速度:36MHz 連通性:I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，PDR，POR，PVD，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):26 程序存儲器容量:64KB（64K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:10K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 10x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:36-VFQFN，36-VFQFPN 包裝:托盤 配用:497-10030-ND - STARTER KIT FOR STM32497-8853-ND - BOARD DEMO STM32 UNIV USB-UUSCIKSDKSTM32-PL-ND - KIT IAR KICKSTART STM32 CORTEXM3497-8512-ND - KIT STARTER FOR STM32F10XE MCU497-8505-ND - KIT STARTER FOR STM32F10XE MCU497-8304-ND - KIT STM32 MOTOR DRIVER BLDC497-6438-ND - BOARD EVALUTION FOR STM32 512K497-6289-ND - KIT PERFORMANCE STICK FOR STM32MCBSTM32UME-ND - BOARD EVAL MCBSTM32 + ULINK-MEMCBSTM32U-ND - BOARD EVAL MCBSTM32 + ULINK2更多... 其它名稱:497-9032STM32F101T8U6-ND |
| MC9S12DB128CFU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT MC9S12DB CISC 128KB FLASH 50MHZ 3.3/5V 80PQFP - Bulk |
| MC9S12DB128CFUE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DB128CPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC9S12DB128CPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU MARLIN2 PB FREE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
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