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參數資料
| 型號： | MC9S12DB128BVFU |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁數： | 117/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DB128BVFU |
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
117
Table A-20 Expanded Bus Timing Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted, C
LOAD
= 50pF
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P Frequency of operation (E-clock)
f
o
0
25.0
MHz
2
P Cycle time
t
cyc
40
ns
3
D Pulse width, E low
PW
EL
19
ns
4
D Pulse width, E high
1
PW
EH
19
ns
5
D Address delay time
t
AD
8
ns
6
D Address valid time to E rise (PW
EL
–t
AD
)
t
AV
11
ns
7
D Muxed address hold time
t
MAH
2
ns
8
D Address hold to data valid
t
AHDS
7
ns
9
D Data hold to address
t
DHA
2
ns
10
D Read data setup time
t
DSR
13
ns
11
D Read data hold time
t
DHR
0
ns
12
D Write data delay time
t
DDW
7
ns
13
D Write data hold time
t
DHW
2
ns
14
D Write data setup time
(1)
(PW
EH
–t
DDW
)
t
DSW
12
ns
15
D Address access time
(1)
(t
cyc
–t
AD
–t
DSR
)
t
ACCA
19
ns
16
D E high access time
(1)
(PW
EH
–t
DSR
)
t
ACCE
6
ns
17
D Non-multiplexed address delay time
t
NAD
6
ns
18
D Non-muxed address valid to E rise (PW
EL
–t
NAD
)
t
NAV
15
ns
19
D Non-multiplexed address hold time
t
NAH
2
ns
20
D Chip select delay time
t
CSD
16
ns
21
D Chip select access time
(1)
(t
cyc
–t
CSD
–t
DSR
)
t
ACCS
11
ns
22
D Chip select hold time
t
CSH
2
ns
23
D Chip select negated time
t
CSN
8
ns
24
D Read/write delay time
t
RWD
7
ns
25
D Read/write valid time to E rise (PW
EL
–t
RWD
)
t
RWV
14
ns
26
D Read/write hold time
t
RWH
2
ns
27
D Low strobe delay time
t
LSD
7
ns
28
D Low strobe valid time to E rise (PW
EL
–t
LSD
)
t
LSV
14
ns
29
D Low strobe hold time
t
LSH
2
ns
30
D NOACC strobe delay time
t
NOD
7
ns
31
D NOACC valid time to E rise (PW
EL
–t
NOD
)
t
NOV
14
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DB128BVPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128B | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BCFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BCPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DG128BMFU | MC9S12DT128B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DB128CFU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16BIT MC9S12DB CISC 128KB FLASH 50MHZ 3.3/5V 80PQFP - Bulk |
| MC9S12DB128CFUE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DB128CPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC9S12DB128CPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU MARLIN2 PB FREE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DB128CPVER | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:1 系列:87C 核心處理器:MCS 51 芯體尺寸:8-位 速度:16MHz 連通性:SIO 外圍設備:- 輸入/輸出數:32 程序存儲器容量:8KB（8K x 8） 程序存儲器類型:OTP EEPROM 大小:- RAM 容量:256 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):4 V ~ 6 V 數據轉換器:- 振蕩器型:外部 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:44-DIP 包裝:管件 其它名稱:864285 |
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