- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371077 > MC9S12DJ128B (Motorola, Inc.) MC9S12DT128B PDF資料下載
參數資料
| 型號： | MC9S12DJ128B |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁數： | 99/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DJ128B |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁當前第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
99
A.3.2 NVM Reliability
The reliability of the NVM blocks is guaranteed by stress test during qualification, constant process
monitors and burn-in to screen early life failures.
The failure rates for data retention and program/erase cycling are specified at the operating conditions
noted.
The program/erase cycle count on the sector is incremented every time a sector or mass erase event is
executed.
NOTE:
All values shown in
Table A-12
are target values and subject to further extensive
characterization
Table A-12 NVM Reliability Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
NOTE:
Flash cycling performance is 10 cycles at -40C to +125C. Data retention is
specified for 15 years.
NOTE:
EEPROM cycling performance is 10K cycles at -40C to 125C. Data retention is
specified for 5 years on words after cycling 10K times. However if only 10 cycles
are executed on a word the data retention is specified for 15 years.
4. Burst Programming operations are not applicable to EEPROM
5. Minimum Erase times are achieved under maximum NVM operating frequency f
NVMOP
.
6. Minimum time, if first word in the array is not blank
7. Maximum time to complete check on an erased block
Num C
Rating
Cycles
Data Retention
Lifetime
Unit
1
C Flash/EEPROM (-40C to +125C)
10
15
Years
2
C EEPROM (-40C to +125C)
10,000
5
Years
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DJ128BCFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128BCPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128BMFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128BMPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DJ128BVFU | MC9S12DT128B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DJ128BCFU | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DJ128BCPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DJ128BMPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DJ128BVPV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC9S12DJ128CFU | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:128K FLASH HCS12 MCU - Bulk |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。