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參數資料
| 型號： | MC9S12DT128B |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁數： | 94/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DT128B |
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
94
specifies results in an error of less than 1/2 LSB (2.5mV) at the maximum leakage current. If device or
operatingconditionsarelessthanworstcaseorleakage-inducederrorisacceptable,largervaluesofsource
resistance is allowed.
A.2.2.2 Source capacitance
When sampling an additional internal capacitor is switched to the input. This can cause a voltage drop due
to charge sharing with the external and the pin capacitance. For a maximum sampling error of the input
voltage
≤
1LSB, then the external filter capacitor, C
f
≥
1024 * (C
INS
– C
INN
).
A.2.2.3 Current injection
There are two cases to consider.
1.
A current is injected into the channel being converted. The channel being stressed has conversion
valuesof$3FF($FFin8-bitmode)foranaloginputsgreaterthanV
RH
and$000forvalueslessthan
V
RL
unless the current is higher than specified as disruptive conditions.
Current is injected into pins in the neighborhood of the channel being converted. A portion of this
current is picked up by the channel (coupling ratio K), This additional current impacts the accuracy
of the conversion depending on the source resistance.
The additional input voltage error on the converted channel can be calculated as V
ERR
= K * R
S
*
I
INJ
, with I
INJ
being the sum of the currents injected into the two pins adjacent to the converted
channe
Table A-9 ATD Electrical Characteristics
2.
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
C Max input Source Resistance
R
S
-
-
1
K
2
T
Total Input Capacitance
Non Sampling
Sampling
C
INN
C
INS
10
22
pF
3
C Disruptive Analog Input Current
I
NA
-2.5
2.5
mA
4
C Coupling Ratio positive current injection
K
p
10
-4
A/A
5
C Coupling Ratio negative current injection
K
n
10
-2
A/A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BCFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DT128BCPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DT128BMFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DT128BMPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DT128BVFU | MC9S12DT128B |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BCPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128BMPV | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MC9S12DT128BVPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128CPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC9S12DT128CPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU EPP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
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