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參數資料
| 型號： | MC9S12DT128BMPV |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | 16-BIT, FLASH, 25 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP112 |
| 封裝： | LQFP-112 |
| 文件頁數： | 90/124頁 |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DT128BMPV |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁當前第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁
MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
90
Table A-6 5V I/O Characteristics
Conditions are shown in
Table A-4
unless otherwise noted
Num C
Rating
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
1
P Input High Voltage
V
IH
0.65*V
DD5
–
V
T Input High Voltage
V
IH
–
–
V
DD5
+ 0.3
2
P Input Low Voltage
V
IL
–
–
0.35*V
DD5
V
T Input Low Voltage
V
IL
V
SS5
– 0.3
–
–
V
3
C Input Hysteresis
V
HYS
250
mV
4
P
Input Leakage Current (pins in high ohmic input
mode)
1
V
in
= V
DD5
or V
SS5
ADC Inputs AN15:0
All other Ports (A, B, E, K, M, S, T)
NOTES
:
1. Maximum leakage current occurs at maximum operating temperature. Current decreases by approximately one-half for
each 8 C to 12 C in the temperature range from 50 C to 125 C.
2. Refer to
Section A.1.4 Current Injection
, for more details
3. Parameter only applies in STOP or Pseudo STOP mode.
I
in
-1.0
–2.5
–
1.0
2.5
μ
A
5
C
P
Output High Voltage (pins in output mode)
Partial Drive IOH= –2.0mA
Full Drive IOH= –10.0mA
V
OH
V
DD5
– 0.8
–
–
V
6
C
P
Output Low Voltage (pins in output mode)
Partial Drive IOL= +2.0mA
Full Drive IOL= +10.0mA
V
OL
–
–
0.8
V
7
P
Internal Pull Up Device Current,
tested at V
IL
Max.
I
PUL
–
–
–130
μ
A
8
C
Internal Pull Up Device Current,
tested at V
IH
Min.
I
PUH
–10
–
–
μ
A
9
P
Internal Pull Down Device Current,
tested at V
IH
Min.
I
PDH
–
–
130
μ
A
10
C
Internal Pull Down Device Current,
tested at V
IL
Max.
I
PDL
10
–
–
μ
A
11
D Input Capacitance
C
in
6
–
pF
12
T
Injection current
2
Single Pin limit
Total Device Limit. Sum of all injected currents
I
ICS
I
ICP
–2.5
–25
–
2.5
25
mA
13
P Port H, J, P Interrupt Input Pulse filtered
3
t
PULSE
3
μ
s
14
P Port H, J, P Interrupt Input Pulse passed
3
t
PULSE
10
μ
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BVFU | MC9S12DT128B |
| MC9S12DT128BVPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DP512 | 16-Bit Microcontroller |
| MC9S12D | 16-Bit Microcontroller |
| MC9S12DT128 | 16-Bit Microcontroller |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BVPV | 功能描述:16位微控制器 - MCU 16 Bit 25MHz RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128CPV | 功能描述:IC MCU 128K FLASH 25MHZ 112-LQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:HCS12 標準包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數:21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數據轉換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 |
| MC9S12DT128CPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU EPP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MC9S12DT128MPV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MC9S12DT128MPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數據總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
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