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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MC9S12DT128BVFU |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | MC9S12DT128B |
| 中文描述： | MC9S12DT128B |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 86/124頁(yè) |
| 文件大小： | 577K |
| 代理商： | MC9S12DT128BVFU |
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MC9S12DT128B Device User Guide — V01.07
86
A device will be defined as a failure if after exposure to ESD pulses the device no longer meets the device
specification. Complete DC parametric and functional testing is performed per the applicable device
specification at room temperature followed by hot temperature, unless specified otherwise in the device
specification.
Table A-2 ESD and Latch-up Test Conditions
A.1.7 Operating Conditions
This chapter describes the operating conditions of the device. Unless otherwise noted those conditions
apply to all the following data.
NOTE:
Please refer to the temperature rating of the device (C, V, M) with regards to the
ambient temperature T
A
and the junction temperature T
J
. For power dissipation
Model
Description
Symbol
Value
Unit
Human Body
Series Resistance
R1
1500
Ohm
Storage Capacitance
C
100
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
–
–
3
3
Machine
Series Resistance
R1
0
Ohm
Storage Capacitance
C
200
pF
Number of Pulse per pin
positive
negative
–
–
3
3
Latch-up
Minimum input voltage limit
–2.5
V
Maximum input voltage limit
7.5
V
Table A-3 ESD and Latch-Up Protection Characteristics
Num
C
Rating
Symbol
Min
Max
Unit
1
C Human Body Model (HBM)
V
HBM
2000
–
V
2
C Machine Model (MM)
V
MM
200
–
V
3
C Charge Device Model (CDM)
V
CDM
500
–
V
4
C
Latch-up Current at 125
°
C
positive
negative
I
LAT
+100
–100
–
mA
5
C
Latch-up Current at 27
°
C
positive
negative
I
LAT
+200
–200
–
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC9S12DT128BVPV | MC9S12DT128B |
| MC9S12DP512 | 16-Bit Microcontroller |
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| MC9S12DT128MPVE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 128K FLASH HCS12 MCU RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時(shí)鐘頻率:24 MHz 程序存儲(chǔ)器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風(fēng)格:SMD/SMT |
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