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2SK302500L

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK302500L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

2SK302500L
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
PANASONIC
TO-252
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SK302500L
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
3000
PANASON
TO-252
10+
-
原裝現貨/特價

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1

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2SK302500L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK302500L PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

2SK302500L 技術參數

2SK302200L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:220pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:U-G2 標準包裝:1 2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標準包裝:1 2SK3019TL 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT416 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 5V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:EMT3 標準包裝:1 2SK3018-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:200mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-323 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 2SK3018T106 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13pF @ 5V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318