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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2625LS |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 中文描述： | 超高速開關(guān)應(yīng)用 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 2SK2625LS |
2SK2625LS
No.7081-3/4
IT03653
IT03655
IT03654
IT03656
2
0.1
y
fs
-- ID
10
3
5
7
2
1.0
7
5
3
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
0.001
IF -- VSD
0
100
10
1.0
3
2
5
7
0.1
0.01
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
3
2
5
7
0.3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
0.6
0.9
1.2
1.5
2
--50
VGS(off) -- Tc
6
5
4
3
--25
0
25
50
75
100
125
150
3
Ciss, Coss, Crss -- VDS
0
3
1000
7
2
5
3
2
100
7
5
5
10
15
20
25
30
IT03657
10
SW Time -- ID
3
5
100
7
5
3
2
7
1.0
Drain Current, ID -- A
2
3
5
7
10
IT03659
0
PD -- Tc
0
35
30
25
20
15
10
5
20
40
60
80
100
120
140
160
IT03660
0
PD -- Ta
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
20
40
Ambient Temperature, Ta --
°
C
60
80
100
120
140
160
IT03658
0.01
A S O
1.0
3
2
7
5
3
2
10
1.0
0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
2
3
5 7
2
3
5 7
2
3
5 7
10
100
1000
Tc=-25
°
C
75
°
C
25
°
C
VDS=10V
VDS=10V
ID=1mA
T=5
°
C
2
°
C
-5
°
C
VGS=0
f=1MHz
Ciss
Crss
Coss
VDD=200V
VGS=10V
td(on)
td(off)
t
tr
IDP=16A
ID=4A
DCOpeaion
Tc=25
°
C
Single Pulse
<1
μ
s
10
μ
s
100
μ
s
1ms
100ms
Operation in this
area is limited by RDS(on).
Drain Current, ID -- A
F
y
C
Case Temperature, Tc --
°
C
F
S
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
D
Case Temperature, Tc --
°
C
A
A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2627 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2631 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK2684 | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
| 2SK2684L | Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET) |
| 2SK2734 | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2628ALS | 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI |
| 2SK2631-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| 2SK2632LS | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2638-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK2640 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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