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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2796S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SK2796S |
2SK2796(L), 2SK2796(S)
6
0.1
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30
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1000
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2
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0.1
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200
50
100
10
20
5
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 5 A
V
GS
V
DS
V = 50 V
25 V
10 V
V = 10 V
25 V
50 V
0.2
0.5
1
2
5
10
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK2797 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK2800-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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