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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2796S |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2SK2796S |
2SK2796(L), 2SK2796(S)
7
10
8
6
4
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V = 0, –5 V
10 V
5 V
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (°C)
R
A
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E = 1
2
V
V – V
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
I = 5 A
V = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK2796(S) | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK2800-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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