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參數資料
| 型號： | 2SK30651000 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Small switching (60V, 2A) |
| 中文描述： | 小開關（60V的2A號） |
| 文件頁數： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | 2SK30651000 |
2SK3065
Transistors
100
μ
100m
0.001
10
N
T
PULSE WIDTH : PW(s)
1
10m
Ta=25
°
C
θ
th (ch-c)
(t)
= r
(t)
θ
th (ch-c)
θ
th (ch-c)
=62.5
°
C/W
D=PW
T
PW
T
10
1
100
1m
0.01
0.1
D=1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
When mounted on a 40 x 40 x 0.7 mm
aluminum-ceramic board.
Fig.16 Normarized Transient Thermal Resistance vs. Pulse Width
!
Switching characteristics measurement circuit
Fig.17 Switching Time Test Circuit
V
GS
R
G
V
DS
D.U.T.
I
D
R
L
V
DD
90%
50%
10%
90%
10%
50%
10%
Pulse width
V
GS
V
DS
90%
t
f
t
off
t
d(off)
t
r
t
on
t
d(on)
Fig.18 Switching Time Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3065T100 | Small switching (60V, 2A) |
| 2SK3070S | Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK3110 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3111-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 2SK3111 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3065T100 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2SK3066 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 30A I(D) | SMT |
| 2SK3067 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
| 2SK3067(BZ,Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 600V 2A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube |
| 2SK3067(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin (3+Tab) TO-220(NIS) Bulk |
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