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參數資料
| 型號： | 2SK3110 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關功率場效應晶體管 工業級 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SK3110 |
Data Sheet D13333EJ1V0DS00
3
2SK3110
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
-
Drain to Source Voltage - V
I
D
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
Pulsed
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 30 V
V
GS
= 10 V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
-
Gate to Source Voltage - V
I
D
100
10
1
0.1
0.01
0.001
Pulsed
0
V
DS
= 10 V
9 10 11 12
1
2
3
4
5
6
7
8
T
= 125C
75C
25C
-25C
GATE TO SOURCE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature - C
V
G
V
DS
= 10 V
I
D
= 1 mA
50
50
100
0
150
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
25
25
75
125
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
f
|
0.1
100
10
1
0.1
0.01
1
100
0.01
10
V
DS
=10 V
Pulsed
T
ch
= -25C
T
ch
= 25C
T
ch
= 75C
T
ch
= 125C
Pulsed
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
500
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
R
D
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10 12
14
16
18
20
I
D
=
14
A
7.0 A
2.8 A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE
RESISTANCE vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
1
10
100
Pulsed
300
250
200
150
100
50
00.1
V
GS
= 10 V
V
GS
= 30 V
#
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3111-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2SK3111 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3111-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 200V 20A 180m@10V TO220AB Bulk |
| 2SK3111-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3111-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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