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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3110 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | 2SK3110 |
Data Sheet D13333EJ1V0DS00
4
2SK3110
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
350
T
ch
- Channel Temperature - C
R
D
300
250
200
150
100
50
0
50
50
100
0
150
25
25
75
125
I
D
= 14 A
I
D
= 7.0 A
V
= 10 V
Pulsed
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0.0
100
10
1
0.1
0.4
1.0
1.2
Pulsed
0.2
0.6
0.8
1.4
1.6
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
10
100
1000
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
10000
1000
C
iss
C
oss
C
rss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
1 000
100
10
1
1
10
100
V
DD
= 100 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
t
r
t
f
t
d(off)
t
d(on)
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
t
r
1
0.1
10
1
10
100
1 000
100
di/dt = 50A /
V
GS
= 0 V
s
μ
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
200
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
10
20
30
40
50
150
100
50
0
2
4
6
0
I
D
= 14 A
V
= 160 V
100 V
40 V
V
= 160 V
100 V
40 V
8
10
12
60
14
16
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SK3111-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 200V 20A 180m@10V TO220AB Bulk |
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