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參數資料
| 型號： | 2SK3481-Z |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 中文描述： | 開關N溝道功率場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 2SK3481-Z |
Data Sheet D15063EJ1V0DS
5
2SK3481
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
50
0
0
20
40
60
80
100
120
50
100
150
Pulsed
I
D
= 15 A
10 V
V
GS
= 4.5 V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
1.0
I
S
0
1.5
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
0.01
0.1
1
10
100
0 V
V
GS
= 10 V
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
10
0.01
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
rss
C
oss
C
iss
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
1
0.1
1
100
1000
10
100
V
DD
= 50 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
t
f
t
r
t
d(on)
t
d(off)
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt = 100 A/ s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1
10
100
1000
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
V
G
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
20
0
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
40
60
10
30
50
I
D
= 30 A
V
DD
= 80 V
50 V
20 V
V
DS
V
GS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3481-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK3491 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 2SK3502-01MR | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3504-01 | MOSFETs |
| 2SK351 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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